05μm 1P2M CMOS工藝平臺。0.5微米柵長, 單層多晶，雙層金屬. 應用于LED電路驅動，工作電壓3.3v~5v, （12V，40V 可選）。具有詳盡的設計規則，精確的SPICE模型。
0.5um 1P2MCMOS process platform。0.5um gate length，Single poly, double metal，application for LED Driver，Core/IO voltage：3.3V～5.0V, （12V, 40V optional）。FMIC has the elaborate design rule document，and the SPICE modeling.
1) 工藝特性
? ? 工作電壓3.3V~5V，（12V，40V可選），0.5微米CMOS，單多晶，兩層金屬，雙阱工藝。
? ? 襯底材料為P型、<100>晶向、15~25歐姆.厘米。
? ? 10塊掩模版，13個光刻層。
? ? 可提供N型只讀掩模代碼。
? ? 標準的局部氧化隔離工藝。
? ? 柵氧厚度為125埃，采用硅化物柵極。
? ? N/P型輕摻雜漏區和側壁結構。
? ? 鈦/氮化鈦/鋁硅銅/氮化鈦結構的互連層。
? ? 氧化硅/氮化硅結構的鈍化層。
? ? IMD SOG 平坦化工藝。
? ? 鎢塞工藝
2) 典型應用
? ? DC-AC 轉換
? ? LDO 電路驅動
? ? 電源管理芯片
? ? 充電器管理IC
? ? LED電路驅動