05μm 2P2M CMOS工藝平臺。0.5微米柵長, 雙層多晶，雙層金屬. 應用于LED 電路驅動，工作電壓3.3V~5V, （12V，40V 可選）。具有詳盡的設計規則，精確的SPICE模型。
工藝特性
? ? 工作電壓3.3V~5V，（12V，40V 可選），0.5微米CMOS，雙多晶，兩層金屬，雙阱工藝。
? ? 襯底材料為P型、<100>晶向、15~25歐姆.厘米。
? ? 12塊掩模版，15個光刻層。
? ? 可提供N型只讀掩模代碼。
? ? 標準的局部氧化隔離工藝。
? ? 柵氧厚度為125埃，采用硅化物柵極。
? ? N/P型輕摻雜漏區和側壁結構。
? ? 鈦/氮化鈦/鋁硅銅/氮化鈦結構的互連層。
? ? 氧化硅/氮化硅結構的鈍化層。
? ? IMD SOG 平坦化工藝。
? ? 鎢塞工藝
? ? POP多晶硅電容。
? ? 多晶硅電阻。
2) 典型應用
? ? DC-AC 轉換
? ? LDO 電路驅動
? ? 電源管理芯片
? ? 充電器管理IC
? ? LED電路驅動