0.8μm 1P2M CMOS工藝平臺。0.8微米柵長, 單層多晶，雙層金屬. 應用于LED電路驅動，工作電壓5伏。具有詳盡的設計規則。
1) 工藝特性
? ? 0.8微米CMOS，單多晶，兩層金屬，雙阱工藝。
? ? 工作電壓5伏。
? ? 襯底材料為N型、<100>晶向、4~7歐姆.厘米。
? ? 11塊掩模版，12個光刻層。
? ? 可提供N型只讀掩模代碼。
? ? 標準的局部氧化隔離工藝。
? ? 柵氧厚度為200埃，采用多晶硅柵極。
? ? N/P型輕摻雜漏區和側壁結構。
? ? 鈦/氮化鈦/鋁硅銅/氮化鈦結構的互連層。
? ? 氧化硅/氮化硅結構的鈍化層。
? ? IMD 平坦化工藝。
2) 典型應用
? ? DC-AC 轉換
? ? 電源管理芯片
? ? 充電器管理IC
? ? LED電路驅動