1.0μm 25/40V HVCMOS是方正微電子標準高壓主流工藝平臺之一。以較少光刻層數為客戶提供經濟且穩定的高壓工藝。工藝平臺提供常規及隔離的5V低壓CMOS，25V或40V高壓CMOS器件，寄生NPN/Sub PNP三極管，以及多晶高阻和齊納二極管等可選器件。同時后段0.5um工藝設計規則可以節省芯片面積，為客戶提供產品競爭力。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。
1) 工藝特性
? 常規低壓5V CMOS兼容行業標準
? 15 層光罩，16層光刻層(其中包含高阻和齊納兩個可選層)
? 采用外延工藝
? 后段連線工藝可選1.0um和0.5um
? 雙阱，單多晶硅，雙柵氧，N+埋層和外延層隔離P阱。
? 可選器件包含：多晶高阻、齊納二極管、三極管、其他特殊需求。
? 工作電壓： Vds和Vds 5-40V
2) 典型應用
? ? AC-DC 交直流轉換電路
? ? LED 驅動電路