RF LDMOS具有頻率高、功率容量大、線形度好、效率高等突出優勢。FMIC擁有成熟的28V RF LDMOS工藝，頻率涵蓋400MHZ~2700MHZ。
1) 工藝特性
? 背面源技術
? 厚氧隔離工藝
? Multi-RESURF 技術
? 超低的柵極電阻
? 屏蔽環工藝
? 厚鋁工藝
2) 典型應用
? RF功率放大器
? HF、VHF和UHF廣播傳輸器
? 微波雷達與導航系統
? CDMA、W-CDMA、TETRA、數字地面電視
RF LDMOS具有頻率高、功率容量大、線形度好、效率高等突出優勢。FMIC擁有成熟的28V RF LDMOS工藝，頻率涵蓋400MHZ~2700MHZ。
1) 工藝特性
? 背面源技術
? 厚氧隔離工藝
? Multi-RESURF 技術
? 超低的柵極電阻
? 屏蔽環工藝
? 厚鋁工藝
2) 典型應用
? RF功率放大器
? HF、VHF和UHF廣播傳輸器
? 微波雷達與導航系統
? CDMA、W-CDMA、TETRA、數字地面電視